根據(jù)華信研究院資料顯示，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上周下跌5.83%，低于納斯達(dá)克綜合指數(shù)0.35個(gè)百分點(diǎn)；臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)下跌0.64%，低于臺(tái)灣資訊科技指數(shù)0.14個(gè)百分點(diǎn)。中國半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)下跌4.61%，低于A股指數(shù)0.45個(gè)百分點(diǎn)。上周中國半導(dǎo)體上市公司中，有8家公司上漲，58家公司下跌。其中漲幅最大的公司是國微技術(shù)（+30.00%）。
從走勢看，上周中國半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)有所下降。在中美科技博棄不斷升級(jí)的背景下，強(qiáng)化國家戰(zhàn)略科技力量，打造自主、可控、安全、可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)已經(jīng)迫在眉睫，半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)替代亟需加速。
“新型舉國體制”助力半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代加速，行業(yè)核心技術(shù)鏈有望受益。“新型舉國體制”旨在將市場機(jī)制和舉國體制的優(yōu)勢相結(jié)合，高效配置科技力量和創(chuàng)新資源“集中力量辦大事”。由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有產(chǎn)業(yè)鏈條長、技術(shù)攻關(guān)難度大、投資力度大和回報(bào)周期長等特點(diǎn)，所以僅靠市場自發(fā)力量很難形成突破。目前我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在成熟制程取得重大突破，但在先進(jìn)制程和產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點(diǎn)上仍存在一定的阻力。尤其是在半導(dǎo)體上游設(shè)備、材料等板塊，美國對(duì)運(yùn)算芯片、存儲(chǔ)制造設(shè)備、14nm以下的芯片制造工具、EUV和DUV光刻機(jī)等環(huán)節(jié)的制裁，形成了對(duì)我國關(guān)鍵核心技術(shù)封鎖的威脅。在新型舉國體制下，關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)上下游產(chǎn)業(yè)鏈將通過政策的導(dǎo)向，得到產(chǎn)業(yè)資源的優(yōu)先配置。新型舉國體制將充分利好上游設(shè)備、材料板塊，行業(yè)內(nèi)龍頭企業(yè)有望顯著受益。
設(shè)計(jì)領(lǐng)域：
國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)再添2個(gè)研究院，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)。中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院、芯片技術(shù)研究院正式揭牌成立。其中，芯片技術(shù)研究院是中國電科經(jīng)中央編辦批準(zhǔn)設(shè)立的研發(fā)機(jī)構(gòu)，將依托園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢，以及中國電科第24所、26所、44所技術(shù)積累和資源優(yōu)勢，成體系布局集成電路、微聲電子、半導(dǎo)體光電子、傳感器等芯片技術(shù)，完善芯片產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，確保產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。中國電科表示，組建產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院、芯片技術(shù)研究院，將推動(dòng)集成電路與核心元器件攻關(guān)，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)。中國電科將以研究院揭牌成立為新的起點(diǎn)，瞄準(zhǔn)國家急迫需要和長遠(yuǎn)需求，系統(tǒng)整合集成電路與核心元器件優(yōu)勢資源，全力打好產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化攻堅(jiān)戰(zhàn)，努力在世界一流科研院所建設(shè)方面率先取得突破。
制造領(lǐng)域：
我國科學(xué)家在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破。9月14日晚，國際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然》發(fā)表了我國科學(xué)家在下一代光電芯片制造領(lǐng)域的重大突破。南京大學(xué)張勇、肖敏、祝世寧領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術(shù)，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內(nèi)部，通過控制激光移動(dòng)的方向，在晶體內(nèi)部形成有效電場，實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的直寫和擦除。這一新技術(shù)，突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結(jié)構(gòu)的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級(jí)（相當(dāng)于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級(jí)，達(dá)到30納米，大大提高了加工精度。這一重大發(fā)明，未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調(diào)制器、聲學(xué)濾波器、非易失鐵電存儲(chǔ)器等關(guān)鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
設(shè)備領(lǐng)域：
設(shè)備零部件，半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代的深水區(qū)。從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)來看，半導(dǎo)體設(shè)備零部件處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的最上游，也是國產(chǎn)化替代進(jìn)程中較為艱難的領(lǐng)域。究其原因在于設(shè)備零部件具有品類繁多、市場分散、認(rèn)證壁壘高等因素。立足當(dāng)下，隨著國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠及設(shè)備公司營收規(guī)模持續(xù)上升，以及其對(duì)自身供應(yīng)鏈安全的考慮，將有望帶動(dòng)一批半導(dǎo)體設(shè)備零部件相關(guān)公司發(fā)展壯大。
東莞兆恒機(jī)械擁有超過18年的半導(dǎo)體設(shè)備精密零件制造經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)為國內(nèi)外眾多半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)制造過無數(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備高精密零部件，兆恒基于年均20年的多國籍技術(shù)管理團(tuán)隊(duì)和高端的進(jìn)口硬件設(shè)備群，及執(zhí)行嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理系統(tǒng)得以保駕護(hù)航，受到客戶持續(xù)的信賴和好評(píng)
材料行業(yè)：
碳化硅市場滲透率不斷上升，產(chǎn)業(yè)鏈迎來規(guī)模化發(fā)展。碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車市場的擴(kuò)張緊密相連，隨著新能源汽車市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。我們認(rèn)為碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入爆發(fā)前夕，隨著新能源車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進(jìn)，碳化硅器件在主逆變器、DC／DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)及充電樁等領(lǐng)域有望迎來規(guī)模化發(fā)展。
信息來源：華信研究院
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